電工電(dian)子級矽(xi)微粉

在(zài)高技術(shù)領域得(de)到廣泛(fan)的應用(yòng)

在電工(gōng)領域，由(you)于其優(you)異的耐(nai)熱性和(hé)耐輻射(she)性，經常(cháng)用作輻(fú)射環境(jing)下的耐(nai)高溫漆(qi)包線漆(qi)。在電子(zǐ)射線輻(fú)射的環(huan)境下，被(bei)輻射的(de)聚酞亞(yà)胺漆包(bao)線在1.XlO。rad時(shí)幾乎沒(méi)有劣化(hua)，擊穿電(dian)壓沒有(yǒu)下降，而(ér)耐磨耗(hào)性反而(er)略有升(sheng)高。在射(she)線輻射(she)的場合(he)，被輻射(shè)漆包線(xiàn)的耐輻(fú)射順序(xu)爲:聚酰(xiān)亞胺>聚(ju)酯亞胺(àn)> 聚酯> 聚(jù)酰胺亞(yà)胺。聚酰(xiān)亞胺薄(bao)膜的耐(nài)輻射性(xing)是塑料(liào)薄膜中(zhōng)最好的(de)。經射線(xiàn)輻射後(hou)，當輻射(she)劑量達(dá)10。rad時，材料(liao)的拉伸(shēn)強度下(xia)降約25 9／5～3O 9／6，伸(shēn)長率下(xià)降約45 ～ 5O 9／6，彈(dàn)性模量(liàng)隻損失(shi)5 9／6，體積電(dian)阻率、介(jiè)電常數(shu)和損耗(hào)因數幾(ji)乎沒有(you)改變。在(zài)低溫下(xia)，聚酰亞(ya)胺材料(liao)具有良(liang)好的機(jī)械和電(dian)性能，薄(báo)膜(O．05lmm)在一(yī)96℃ 的伸長(zhǎng)率保持(chí)率(與室(shi)溫比較(jiao))約爲35 ～ 4O ，拉(lā)伸強度(dù)和彈性(xing)模量提(tí)高約1．3倍(bèi)。在液氮(dàn)溫度下(xia)，材料的(de)體積電(dian)阻率比(bǐ)室溫時(shí)高，約爲(wei)2×1015歐姆。介(jiè)電常數(shu)在室溫(wen)至4K的整(zheng)個溫度(dù)範圍内(nei)變化很(hěn)小， 約在(zai)3.0～3.2之間。薄(bao)膜材料(liao)(O.O03mm)的擊穿(chuan)電壓随(suí)低溫下(xià)降的變(bian)化很小(xiǎo)。與室溫(wēn)下相比(bǐ)，液氮溫(wēn)度下電(dian)氣強度(dù)下降約(yuē)lO%,薄膜材(cái)料(100)在室(shi)溫下空(kōng)氣中的(de)交流電(dian)氣強度(dù)約爲3×102MV／m，液(ye)氦溫度(du)下爲2×102MV／m。

在(zài)半導體(tǐ)及微電(diàn)子工業(ye)上的應(ying)用(聚酰(xian)亞胺薄(bao)膜)

(2)粒子(zǐ)遮擋膜(mó):随着集(ji)成電路(lu)密度和(he)芯片尺(chi)寸的不(bú)斷增大(da)，其抗輻(fú)射的性(xing)能也更(geng)顯重要(yào)。高純度(dù)的聚酰(xian)亞胺塗(tu)層膜是(shi)一種有(yǒu)效的耐(nài)輻射和(he)抗粒子(zi)的遮擋(dǎng)材料。在(zai)元器件(jiàn)外殼的(de)鈍化膜(mó)上塗覆(fu)50一100單位(wèi)的射線(xiàn)遮擋層(ceng)可防止(zhi)由微量(liang)鈾和牡(mu)等釋放(fang)的射線(xian)而造成(chéng)的存儲(chu)器錯誤(wù)。當然，聚(ju)酰亞胺(an)塗覆樹(shu)脂中含(han)鈾物質(zhì)的含量(liàng)也要很(hen)低，用于(yú)256kDRAM的樹脂(zhi)要求鈾(yóu)的含量(liang)低于0.1pph。另(ling)外，聚酰(xian)亞胺優(you)良的機(ji)械性可(kě)防止芯(xin)片在後(hòu)續的封(fēng)裝過程(cheng)中破裂(liè)。

(3)微電子(zǐ)器件的(de)鈍化層(ceng)和緩沖(chòng)内塗層(céng):聚酰亞(ya)胺薄膜(mo)作爲鈍(dun)化層和(he)緩沖保(bǎo)護層在(zài)微電子(zi)工業上(shàng)應用非(fēi)常廣泛(fàn)。PI塗層可(ke)有效地(dì)阻滞電(dian)子遷移(yi)、防止腐(fu)蝕。PI層保(bao)護的元(yuan)器件具(ju)有很低(dī)的漏電(diàn)流，可增(zeng)加器件(jian)的機械(xie)性能，防(fáng)止化學(xué)腐蝕，也(yě)可有效(xiào)地增加(jiā)元器件(jiàn)的抗潮(chao)濕能力(lì)。PI薄膜具(jù)有緩沖(chòng)功能，可(kě)有效地(di)降低由(you)于熱應(ying)力引起(qi)的電路(lù)崩裂斷(duàn)路，減少(shao)元器件(jiàn)在後續(xu)的加工(gong)、封裝和(hé)後處理(li)過程中(zhōng)的損傷(shang)。雖然聚(ju)酰亞胺(àn)塗層可(kě)有效避(bi)免塑封(fēng)器件的(de)崩裂，但(dàn)效果與(yǔ)使用的(de)聚酰亞(ya)胺薄膜(mó)的性能(neng)密切相(xiàng)關。一般(bān)地，具有(you)良好粘(zhan)接性能(neng)，玻璃化(huà)轉變溫(wen)度高于(yu)焊接溫(wēn)度，低吸(xi)水率的(de)聚酰亞(ya)胺是理(li)想的防(fang)止器件(jian)崩裂的(de)内塗材(cái)料。

(4)多層(céng)金屬互(hu)聯電路(lù)的層間(jian)介電材(cái)料:聚酰(xian)亞胺薄(bao)膜可作(zuò)爲多層(ceng)布線技(jì)術中多(duo)層金屬(shǔ)互聯結(jie)構的層(ceng)間介電(diàn)材料。多(duō)層布線(xian)技術是(shi)研制生(sheng)産具有(yǒu)三維立(lì)體交叉(cha)結構超(chao)大規模(mó)高密度(du)高速度(dù)集成電(dian)路的關(guān)鍵技術(shu)。在芯片(pian)上采用(yòng)多層金(jīn)屬互聯(lián)可以顯(xian)著縮小(xiao)器件間(jiān)的連線(xiàn)密度，減(jiǎn)少RC時間(jiān)常數和(he)芯片占(zhan)用面積(jī)，大幅度(du)提高集(ji)成電路(lù)的速度(du)、集成度(dù)和可靠(kào)性。多層(ceng)金屬互(hu)聯工藝(yì)與目前(qián)常用的(de)鋁基金(jin)屬互聯(lian)和氧化(huà)物介質(zhi)絕緣工(gōng)藝不同(tong)，它主要(yào)采用高(gao)性能聚(ju)酰亞胺(an)薄膜材(cai)料爲介(jie)電絕緣(yuan)層，銅或(huo)鋁爲互(hù)聯導線(xiàn)，利用銅(tóng)的化學(xue)機械抛(pao)光。該技(ji)術的主(zhǔ)要優點(dian)在于利(lì)用了銅(tong)的高電(dian)導和抗(kang)電遷移(yí)性能、聚(ju)酰亞胺(an)材料的(de)低介電(dian)常數、平(ping)坦化性(xìng)能以及(jí)良好的(de)可制圖(tu)性能。